硅光电池是一种可将光能转换为电能的元件．某同学利用图（a）所示电路探究某硅光电池的路端电压U与电流I的关系．图中R 0 =2Ω,电压表、电流表均视为理想电表．（b）（1）用"笔线"代替导线,将图（b）中的电路补充完整．
2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是
2018年9月30日 · 规律：当光照强度增大时,硅光电池的内阻减小原理：内光电效应,电子受光激发后离开价带,进入导带,载流子密度增加,电阻减小。 百度首页 商城
2010年6月28日 · 当光照强度增大时,硅光电池的内阻怎么变化。 为什么？ 最高简单的方法就是把硅光电池放在光照和黑暗的情况下用万用表测量正量：光照强度越大,内阻越大；反之。
硅光电池又称光生伏特电池,简称光电池.它是一种将太阳或其他光源的光能直接转换成电能的器件.由于它具有重量轻、使用安全方位、无污染等特点,在目前世界性能源短缺和环境保护形势日益严峻的情况下,人们对硅光电池寄予厚望.硅光电池很可能成为未来电力的
2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
各种硅光电池参数中标明的内阻是由于电极接触、材料本身的电阻率等导致的串联电阻以及材料的划痕、裂纹等瑕疵而导致的并联电阻。 这两类电阻在通常情况下对U–I特性曲线的影响可以忽略。
2013年6月30日 · 本实验以单晶硅光电池为例,通过实验让学生了解硅光电池的机理,学习和掌握测量 短路电流的方法和技巧,以及光电转换的基本参数测量。 二、实验目的
InP（ 磷化铟 ） 光电池 的抗辐射性能特别好,效率达17%到19%,多用于空间方面。采用SiGe单晶 衬底,研制出在AM0条件下效率大于20%的GaAs/Si异质结外延光电池,最高高效率23.3%。