2024年10月24日 · 传统晶体硅太阳电池的正面金属电极会造成光学损失,减少正面金属电极覆盖面积可以提高效率。背接触太阳电池（IBC） 将电极置于背面,提高光电转换效率。
2021年6月22日 · 双面单晶硅太阳电池的 EL 测试结果显示,当 nbottom≤2.11 时开始出现背电极位置 EL 发黑的情况,具体如图1 所示。 从图 1 可以看出,当背面氮化硅薄膜的nbottom≤2.11 时,EL 图像显示双面单晶硅太阳电池背电极位置出现连续或断续发黑的情况。 分析认为,随着 nbottom 降低,其与中层膜的折射率 n middle 的差距变大,开槽激光入射光容易在底层膜和中层膜的临界
重点总结了PERC电池制备环节中,用于沉积氧化铝薄膜的MAiA机台导致电池EL大面积发黑的关键因素,并有针对性地提出预防改善措施。 因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买
2019年7月3日 · 测试结果显示出现此问题与 单晶硅材料的少子寿命低 有关, 主要与原始单晶硅片的体内缺陷有密切关系。研究给出, 电池发黑的边角硅材料处存在位错及其他微缺陷, 导致电池光电转换效率降低。
2022年6月14日 · 本文针对 EL 图像边缘发黑的 PERC 单晶硅太阳电池 ( 下文简称"太阳电池") 的电性能进行了测试,以分析出导致其EL图像边缘发黑的原因,并通过相关测试进行验证。
2020年11月25日 · 当电池片存在复合中心时,复合中心处发光强度减弱,表现出发黑。 本文分为三大部分：一.EL黑斑产生机理；二.EL黑斑的解决方案；三.EL黑斑的影响。 一.EL黑斑产生机理
2021年6月18日 · 双面单晶硅太阳电池的 EL 测试结果显示,当 nbottom≤2.11 时开始出现背电极位置 EL 发黑的情况,具体如图1 所示。 从图 1 可以看出,当背面氮化硅薄膜的nbottom≤2.11 时,EL 图像显示双面单晶硅太阳电池背电极位置出现连续或断续发黑的情况。 分析认为,随着 nbottom 降低,其与中层膜的折射率 n middle 的差距变大,开槽激光入射光容易在底层膜和中层膜的临界
2022年10月2日 · 原因分析： 电池返修的黑边,发暗处正面套印较差,亮处套印正常；取正面套印不良验证,确实存在明暗； 改善措施： 正面套印的卡控,搭接<50%即刻调整。
2019年7月4日 · 11月27日,国家发改委环资司发布关于《拟纳入绿色技术推广目录（2024年版）的技术清单》的公示,光伏建筑一体化用大面积碲化镉发电玻璃、新型光伏建筑一体化技术、光储直柔园区/社区微电网技术、分布式光伏接入配电网关键支撑技术及应用等列入
2015年7月20日 · •电致发光可以看做是电池片光电转换的逆作用, 与光电转换相似的是,在相同的电流强度下,少 子寿命低的电池区域,其电致发光的效率也低。 发光强度与光电转换效率直接对应,因此电致发 光可以作为检测电池片缺陷的直接有效手段。