2024年11月2日 · 南洋理工大学田博研究员和沙特阿卜杜拉国王科技大学张西祥教授团队在《自然·通讯》上发表了一项关于六方氮化硼（hBN）的研究。 该研究探讨了通过化学气相沉积（CVD）合成高质量单层hBN单晶的物理机制,发现
2022年12月20日 · 由于二维六方氮化硼(2D h-BN)纳米材料在新兴能源系统中的广泛应用,其在能源工业中的重要性近年来迅速增长。 这是为了满足下一代能源设备对机械和化学稳定平台的需求,该平台具有优秀的导热性。
2023年9月7日 · 研究发现,CuPbSbS<sub>3</sub>薄膜的带隙为2.0 eV,吸收系数高达10<sup>5</sup> cm<sup>−1</sup>,具有较好的光电性能。在此基础上,研究人员构建了Glass/Mo/CuPbSbS<sub>3</sub>/CdS/ZnO/ITO基底结构的太阳能电池,并获得了0.094%的光电
2018年9月4日 · 一个位于法国的半导体研究团队使用氮化硼分离层生长氮化铟镓（InGaN）,然后将其从原始蓝宝石衬底上剥离并放置在玻璃基板上制作太阳能电池。 通过将InGaN电池与由硅或砷化镓等材料制成的光伏（PV）电池相结合,这种新的剥离技术可以制造能够捕获
2018年11月14日 · 法国一个半导体研究小组利用氮化硼分离层来生长氮化铟镓(InGaN)太阳能电池,然后将其从原来的蓝宝石衬底上提起并放置在玻璃衬底上。 通过将氮化铟镓电池与由硅或砷化镓等材料制成的光伏(PV)电池结合,新的剥离技术能够促进更高效率的能够捕获更
2020年2月13日 · 通过将InGaN电池与由硅或砷化镓制成的光伏电池相结合,新的剥离技术可以促进混合光伏器件的制造,从而更有效地捕获更宽的光谱。 这种混合结构理论上可以将InGaN/Si串联器件的太阳电池效率提高30％该技术可以帮助实现太阳能电池的生产,提高效率
2023年1月11日 · 在这项工作中,展示了通过将 2D 六方氮化硼 (hBN) 纳米片添加剂掺入活性钙钛矿层来加速钙钛矿结晶和晶粒生长来增强 PSC 光伏性能和稳定性。 钙钛矿退火过程中的原位 X 射线散射和红外热成像表明,高导热性 hBN 纳米片通过促进钙钛矿薄膜内更快速和
2018年9月7日 · 法国的一个半导体研究小组利用氮化硼分离层培育出氮化铟镓(InGaN)太阳能电池,然后将其从原有的蓝宝石基板上取下,放置在玻璃基板上。 通过将InGaN电池与硅或砷化镓等材料制成的光伏电池相结合,这种新的发射技术可以促进制造效率更高的混合光伏
2023年6月28日 · 在当前的研究中,利用密度泛函理论,通过选择性氢化和氟化 h-BN 表面,系统地研究了 Janus 六方氮化硼 (h-BN) 的结构、电子和动力学等基本性质。 与平面 sp 2相比,h-BN 的功能化在预测材料中引入了部分 sp 3 （屈曲）特征h-BN。
2022年5月9日 · 北京理工大学陈棋和Yihua Chen等人报道了一种整体解决方案,通过在器件内部引入六方氮化硼 (h-BN) 和在器件外部引入散热片,快速去除吸收器内的散热。