2019年3月20日 · 摘要 通过实验对比的方法对单晶硅太阳电池电致发光（EL）缺陷及不同工艺的影响进行了分析,测试了电池片的 开路电压、短路电流、填充因子、光电转换效率等性能参数,并统计了太阳电池片的EL缺陷比例。
2020年11月24日 · 此外,最高近有报道指出,光和高温诱导的降解（LeTID）是铸造单晶硅太阳能电池的一个严重问题,可能导致相对于10％的功率损耗。 这篇综述将在第4节中介绍LeTID的行为和提出的机制,以及抑制LeTID的方法。
2019年7月30日 · 摘要:针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备（EL、PL、Corescan等）,在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时
2022年1月12日 · 硅片质量对太阳能电池性能的影响,主要涉及少子寿命、早期光致衰减、位错对电池性能的影响,浅谈组件功率下降的原因与解决方式等。 一、相关概念
2019年3月20日 · 摘要通过对5000 片不同类型的低效缺陷太阳电池样品进行检测和分析,建立了较完整的晶体硅太阳电池缺陷检测与分类评价体系。 该体系综合利用电流电压(I V)测 试、热 成像测试、电 致发光测试等多种测试分析手段,已整理出16 类电池缺陷。 从"缺 陷定义测试特征性能影响来源机理预防手段修复价值"等方面对各类缺陷做了详细描述和评价。 该研究结果可用于指导
2012年12月20日 · 本文将使用 EL ( Electrical Luminescence, 电致发光), IR (Infrared, 红外) 热成像技术件的热击穿现象进行较深入的研究。 图1 显示了单晶硅太阳电池组件热击穿的实例照片。 正是由于这些太阳电池的热击穿导致组件背板被烧穿、 鼓包和正面的玻璃碎裂。对于单晶硅太阳电池组件, 通常热击穿原因有电池片的隐裂及裂纹以及低效率问题电池片的存在。
2021年7月28日 · 在这里,通过使用反向偏置电致发光 (ReBEL) 成像技术,我们观察到单晶硅太阳能电池中的三种击穿现象：缺陷诱导击穿、雪崩击穿和早期击穿。 我们已经应用了多种方法来诊断每种故障机制。
首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点.其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅
2016年8月1日 · 摘要 单晶硅的冲击断裂对电子器件和太阳能电池的长期可信赖性至关重要,因为它在半导体工业中广泛用作元件或基板。 单晶硅沿两个不同的结晶方向加载,分离式霍普金森压力棒与原位 X 射线成像和衍射系统集成。
2024年3月4日 · 其中,多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命,以及材料制备工艺相对简化等优点。 新能源 光伏 数据集 2301_80430808的博客