GCSIDC-B型硅光电池综合实验仪从了解和熟悉硅光电池的角度出发,讨论关于硅光电池的主要技术问题,主要研究硅光电池的基本特性,如短路电流、光电特性、光谱特性、伏安特性、及时间响应特性等等,以及硅光电池的简单应用。
太阳能电池等领域得到广泛应用,硅光电 池是半导体光电探测器的一个基本单元, 深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以 进一步领会半导体 PN 结原理、光电效应和光伏电池产生
2010年4月2日 · 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 (红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)"光照度调节"调到最高小,连接好光照度计,直流电源调至最高小,打开照度计
3、硅光电池伏安特性测试 （1）组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探 头输出正负极对应相连（红为正极,黑为负极）,将光源调制单元 J4 与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 （2） "光照度调节" 调到最高小, 连接好光
2005年7月23日 · 实验时通过改变硅光电池与光源间距离来改变照度,硅光电池的位置修正值由实验室 提供； 测量时,请考虑测量数据分布的合理性． （a） (b) 图4 测量硅光电池伏安特性的接线图 2．研究硅光电池的伏安特性 （1）旋转偏振片使光照度最高强
2012年10月19日 · 左边的就是实 验用的仪器箱 各试验箱里的仪器 有探测器,硅光电 池、实验光源还有 各电阻电源等 实验过程 硅光电池短路电路测试实验 此实验主要是测试硅光电池的短路电 流,所以 用简单的串联电路即可 光照度 （LX） 0 100 200 300 400 40.6 500 51.0 600 61.
在硅光 电池光照试验中硅光 电池负载为零时,短路 电 流在相当大的范围由与光照度成线性关系；而开路电压与 光照度的关系, 显非 线性。因此, 由实验知, 负载电阻愈小, 光电流与照度之问线性关 系愈好 。 且线性范 围宽。 光功率计 中的内部
2014年6月3日 · 本文通过硅光 电池的光电效应实现了光信号到电信号的转变,从而为光信号的测量 提供了精确可信赖的数据。 为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信 号,光电探测器不仅要
2014年10月31日 · 硅光电池伏安特性的实验设计与分析研究 光伏技术可直接将太阳的光能转换为电能,近年来微小型 半导体逆变器迅速发展,促使其应用更加快捷,因而光伏技术制作的光电 池有望成为 21 世纪的新能源,探索硅光电池的光电特性能为其开发应用 提供更多的方向和途
2014年11月20日 · 7）关闭电源开关,照度值调至最高小,作出200 Lx光照度下的光电流-偏压曲线； 4、硅光电池光照特性测量 1）打开实验箱电源,调节照度计"调零"旋钮,至照度计显示为"000.0"为止,关闭实验箱电源；
2021年5月9日 · 光电技术是一个高科技行业,光电二极管是光通信接收部分的核心器件。《光电二极管及其放大电路设计》系统地讨论了光接收及放大电路的设计和解决方案中的带宽、稳定性、相位补偿、宽带放大电路、噪声抑制等问题。《光电二极管及其放大电路设计》专业性强,系统架构由简到难,理论与实践
硅光电池伏安特性-图 1 光 电池结 构示意 图ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ图1光电池结构示意图当没有光照射时,光电二极管相当于普通的二极管,其伏安特性是 （1） 式（1）中 I 为流过二极管的总电流,Is 为反向饱和电流,e 为电子电荷,k 为玻耳兹曼常量,T 为工作绝对
图3硅光电池特性电路2先将可调光源的光强调至一定的照度每次在一定的照度下调节可调电阻箱的阻值然后测出硅光电池的路端电压usc和取样电阻r1两端的电压uir1ph200??ur1则光电流200为取样电阻的阻值这里要求至少测出15个数据点以绘出完整的伏安特性曲线
2010年4月2日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入时到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用手大大空和野外便携式仪器等的能源。
图 4 测量硅光电池伏安特性的接线图 2．研究硅光电池的伏安特性 （1）旋转偏振片使光照度最高强 （2）按图 4（a）电路,测量无偏压状态下的伏安特性曲线,实验点不少于 12 个（包 括开路电压点）； （3）保持光照不变,按图 4（b）电路,测量反向偏压状态下
2010年4月2日 · （4）将"光照度调节"旋钮逆时针调节到最高小值位置后关闭电源。 （5）上表中所测得的电压值即为硅光电池相应光照度下的开路电压。 （6）实验完毕,关闭电源,拆除所有连线。 3、硅光电池光照特性
（4）电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将"光照度调节"旋钮逆时针调节至最高小值位置。 4、硅光电池伏安特性 实验装置原理框图如图2-13所示。 图2-13硅光电池伏安特性测试
2012年4月24日 · 3、硅光电池光照特性 根据实验1 和2 所调试的实验数据,作出如图2-5 所示的硅光电池的光照电流电压特性曲 线。 4、硅光电池伏安特性 实验装置原理框图如图2-13 所示。
2018年7月6日 · 上海交通大学物理实验报告（大二上）硅光电池特性的研究.docx,硅光电池特性的研究了解硅光电池的工作原理及其应用。研究硅光电池的主要参数和基本特性。硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流
当硅光电池的输出端开路时,I = 0, 由上两式可得开路电压 𝑛𝑘𝐵 𝑇 𝐼𝑠𝑐 𝑉𝑜𝑐 = 𝑙𝑛 +1 𝑞 𝐼0 硅光电池开路电压与照度特性见图 1。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的 V
3、硅光电池光照特性 数据分析得： 光电池的短路电流与入射光照度成正比,而开路电压与光 照度的对数成反比。 4、硅光电池伏安特性(注：电流单位：uA 电压单位：mV) 100LX 300Lx 500Lx 0 -10 电流（uA） 2 硅光电池伏安特性曲线 -20 -30 -40 -50 -60
4、硅光电池 伏安特性 实验装置原理框图如图2-13所示。 图2-13 硅光电池伏安特性测试 ... （6）上表中所测得的电流值即为硅光电池相应光照度 下的短路电流。 （7）实验完毕,关闭电源,拆除所有连线。 式中, 为基准探测器显示的电压值,K为
2006年9月25日 · 硅光电池可以用作光信号探测器（光电传感器）,在光电转换、自动控制和计算机输入和输出等现代化科学技术中发挥重要作用。 另一方面硅光电池可将太阳能转换成电能,
2010年4月6日 · 硅光电池特性测试实验报告系别：电子信息工程系班级：光电08305班组长：祝李组员：贺义贵、何江武、占志武实验时间：2010年4月2日指导老师：王凌波2010.4.6目录一、实验目的二、实验内容三、实验仪器四、实验原理五、注意事项六、实验步骤七、实验数据及分析八、总结一、实验目的1、学习掌握
硅光电池 的开路电压也呈非线性且有饱和现象, 但硅光电池的短路电流呈良好的线性,故以硅光电 池作测量元件应用时,应该利用短路电流与光照度 的良好线性关系
摘要背景介绍3.实验原理:1. P-N结偏置特性(1)伏安特性(3)输出特性(4)光谱响应特性U与光照特性测量2005年7月23日 · 1．研究硅光电池的照度（光强）特性,用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给测量带来了