2022年12月24日 · 兼具耐高压与小型化的电容是目前大功率集成电路发展中迫切需要的芯片产品。目前常见的耐高压电容以陶瓷电容与电解电容为主,体积大、制备工艺复杂且难以与主流的cmos半导体芯片制造工艺兼容。
提供了一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法,该方法通过研制一种陶瓷介质材料,将陶瓷粉料制备成生瓷膜片,使用配套的金浆作为内电极材料,端电极采用薄膜溅射的方式形成,最高终显著提高了片式多层芯片电容器的可信赖性。
杭州灵通电子有限公司是研制、生产军用高压、大容值多层瓷介电容器(MLCC)的国家等级高新技术企业。 产品包括有失效率等级的多层片式瓷介电容器、航空、航天器用(SAST)多层片式瓷介电容器、HQ多层片式瓷介电容器等。 官网：
2 天之前 · 专利摘要显示,本发明提供一种 MIM 电容器及其制造方法,其下极板与下层金属互连线采用同一层金属层形成,有利于降低芯片的厚度,而且还能利用下极板的立体结构图案中的若干凹陷部和若干凸起部,使 MIM 电容器在所述立体结构图案处呈折叠结构,由此与常规的平面 MIM 电容器结构相比,相同总
4 天之前 · 随着自动化制造和智能化技术的进步的步伐,该公司还可能在AI相关设备的技术创新上走在前列,推动更多的产业升级。 展望未来,电容芯片的市场前景广阔。随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展,对高性能电容器的需求将愈发迫切。
2024年10月5日 · 首先,多晶硅电阻可以在CMOS、双极和BiCMOS技术中制造,这使得它们与现代集成电路工艺兼容,便于集成到复杂的芯片设计中。 其次,多晶硅电阻可以通过,这为电路设计提供了灵活性。
2024年9月15日 · 为了将晶圆转化为半导体芯片,它需要经历一系列复杂的制造过程,包括氧化、光刻、刻蚀、沉积、 离子注入 、金属布线、电气检测和封装等。 让我们更仔细地了解这个基本的半导体制造过程： 晶圆（Wafer）：晶圆是半导体的基础,通常由高纯度的单晶硅制成。 它为集成电路的制造提供了一个平整、光滑的表面。 氧化（Oxidation）：在晶圆表面形成一层薄的二
2024年11月1日 · 积层电容器（MLCC）是一种广泛应用于电子设备中的无源元件,以其小体积、高容量和良好的 频率特性 被大量使用。 本章将介绍MLCC的基本结构和工作原理,为后文深入探讨制造流程、关键工艺技术以及行业发展趋势打下基础。 MLCC通常由多层陶瓷介质与内部的电极层交替堆叠构成,其两端附着有金属电极。 陶瓷介质材料通常是钛酸钡或其他类型的陶瓷粉末,
2024年3月6日 · DTC也就是深沟槽电容技术,核心就在与deep trench（深沟槽）,是通过硅基板上通过晶圆加工的刻蚀技术,刻蚀出一个深沟槽,需要注意的是此处的深沟槽是相对而言的,具体来说就是沟槽的长宽对比,如以下示意图,在硅电容工艺中,我们简单理解沟槽的深度和宽度的比值越大,能够实现的电容密度也就越大,当然相应的耐压值会下降,成本会更高,需要做综合
2023年5月5日 · 1、基于先进的技术工艺平台的mim电容(metal-insulator-metal电容器)产品是目前芯片制造主流使用的电容器件,对于能量存储、信号滤波和高频调谐的应用广泛,常被应用于cis芯片、去耦合和旁路、信息存储等领域。