2021年6月30日 · 片式多层陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。 在其内部,金属电极层与陶瓷介质层交替堆叠；金属内电极一端与外电极相连的话,则另一端必定被埋在陶瓷介质内不与另一侧外电极相连；每两个相邻的金属内电极
片式多层陶瓷电容器是各电路中重要的电子元器件,因其体积小、电容量范围宽、介质损耗小、稳定性高等优点,被广泛使用在各种电路中。 但在使用过程中片式电容器一旦失效将对整体电路造成严重影响。
2008年8月1日 · 情况下,电容器产生的热能应小于或等于其最高大散发 的热能,这样电容工作在热稳定状态,介质温度恒定。如果电流有效值,过大,使电容器产生的热能 (P=,尺刚R。。为等效串联电阻)大于其散发的热能,则热量会形成积累,导致电容器内部的温度升高
对引起片式多层陶瓷电容器(MLCC)击穿失效的主要因素进行了研究.根据MLCC的实际结构特点和材料特性建立模型,利用有限元模拟方法分析了典型缺陷对MLCC样品内部电场强度分布的影响,进一步地总结,分析了MLCC样品的击穿特性,具有一定的参考价值.
2023年4月20日 · 摘要： 对引起片式多层陶瓷电容器(MLCC)击穿失效的主要因素进行了研究.根据MLCC的实际结构特点和材料特性建立模型,利用有限元模拟方法分析了典型缺陷对MLCC样品内部电场强度分布的影响,进一步地总结、分析了MLCC样品的击穿特性,具有一定的参考价值.
摘要 在电子设备中,片式多层陶瓷电容器一种基础电子元件,因其优良性能,在电路设计中得到了广泛的应用;文中从片式多层陶瓷电容器本身问题和外在因素方面,深入阐述了其常见应用失效模式。
摘要 本文通过对片式多层陶瓷电容器失效原因进行模拟、验证,总结出片式多层陶瓷电容器的各种失效机理,并将其失效机理应用于过程排查,从而锁定产生不良的最高终原因,进而消除隐患,使电容器正常运行。
2016年10月21日 · 中国科学院研究生院北京 100080） 摘要： 根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理结果表明在静电场中节瘤的凸点电场强 度是电极平面节点电场强度的3倍端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度空洞和分层中的空气在高压下
2013年10月12日 · 在此基础上, 提出了 在 MLCC 内部容易出现电压击 穿和电流击穿的部位。 关键词：电子技术；电压击穿；电流击穿；电场畸变；片式多层陶瓷电容器 中图分类号 ： T M28 文献标 识码 ： A 文章编号 ： 1001— 2028 (2008) 07— 0065— 03 R eason an al3 n an aly se ot Cau s1n " cau sin g b r eak d ow not ⋯NI L C 1 一,5 L GUI Di,SUN Fei, L IN Z eng-j ian
根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因.据此提出